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HM3-6508-9
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
HM - 6508是一款1024 x 1的静态CMOS随机存取存储器（RAM），采用自对准硅栅技术制造。采用同步电路设计技术，以实现高性能和低功耗运行。片上设有地址锁存器，便于与微处理器系统高效接口。数据输出缓冲器可被强制进入高阻抗状态，用于扩展内存阵列。HM - 6508是完全静态的RAM，可以在任何状态下无限期保持。数据保留电源电压和电源电流在不同温度下都有保证。
商品特性
- 低功耗待机，最大50μW
- 低功耗运行，每兆赫兹最大20mW
- 快速访问时间，最大180ns
- 数据保留电压最小2.0V
- TTL兼容输入/输出
- 高输出驱动 - 2个TTL负载
- 片上地址寄存器
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