- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。EPC2033 eGaN FET仅以带焊料凸点的钝化裸片形式提供。裸片尺寸为4.6mm x 2.6mm。
商品特性
- 高电子迁移率
- 低温系数
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的栅极电荷QG
- 零反向恢复电荷QRR
应用领域
高频DC - DC转换、电机驱动、工业自动化、D类音频