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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N2102
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 2nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
商品概述
2N2102是一款采用TO39封装的硅NPN晶体管，适用于和工业设备中的各种小信号和中功率应用。
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 2nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
2N2102是一款采用TO39封装的硅NPN晶体管，适用于和工业设备中的各种小信号和中功率应用。