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2EDL8033G3CXTMA1
120V 自举，3 A/4 A，结隔离式高端和低端栅极驱动 IC
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- 描述
- 2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力，而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL8033G3CXTMA1
- 商品编号
- C7175171
- 商品封装
- SON-10(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 8V~17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 4.6ns | |
| 下降时间(tf) | 4.4ns | |
| 传播延迟 tpLH | 33ns | |
| 传播延迟 tpHL | 33ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 290uA |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单
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