- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于： 直流-直流转换器 电源管理功能
- 背光
商品特性
- 大|yfs|
- 增强型
- 低导通电阻
应用领域
- 模拟开关
- 低通滤波器
- 超高速开关