W25Q16JWSSIM
串行闪存,支持双和四SPI
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25Q16JWSSIM
- 商品编号
- C7150051
- 商品封装
- SOIC-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 100ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
该16M位串行闪存为空间、引脚和功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能方面远超普通串行闪存器件。它们非常适用于代码影子复制到RAM、直接从双路/四路SPI执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件工作电压范围为1.65V至1.95V,在掉电模式下功耗可低至0.1μA。其阵列组织为8192个可编程页,每页256字节。每次最多可编程256字节。页可按16页一组、128页一组、256页一组或整个芯片进行擦除。该器件分别具有512个可擦除扇区和32个可擦除块。4KB的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更大的灵活性。它支持标准串行外设接口以及高性能双路/四路输出和双路/四路输入/输出SPI:串行时钟、片选、串行数据输入/输出。支持高达133MHz的SPI时钟频率,当使用SPI快速读四路输入/输出指令时,可实现相当于532MHz的时钟速率。这些传输速率可以超越标准的异步8位和16位并行闪存。此外,该器件还支持软件和硬件复位功能、灵活的写保护方案、可编程输出驱动强度、保持/复位功能以及安全寄存器。
商品特性
- 16M位串行闪存,组织为8192个可编程页,每页256字节
- 标准、双路和四路SPI接口
- 支持高达133MHz的时钟频率
- 低功耗:工作电流低,掉电模式下电流为0.1μA
- 灵活的擦除架构:4KB扇区、32KB块、64KB块和整片擦除
- 软件和硬件复位功能
- 写保护特性:通过状态寄存器控制
- 可编程输出驱动强度
- 保持/复位引脚功能
- 安全寄存器:用于存储ID或用户数据
- 支持从双路/四路SPI直接执行代码
- 小尺寸封装选项
- W25Q256JWYIM TR
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- W25R256JVFIQ
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- WK73S2BTTDR12J
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- W26B20001-AZZ00-000
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