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ZXMN10A08E6QTA
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A08E6QTA
- 商品编号
- C7134286
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V,3.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 13 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）
- 增强型：V_th = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V， ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
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