ZTX658QSTZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 50 | |
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极截止电压（VCEO）：400 Volt
- 连续电流：0.5 Amp
- 总功耗（Ptot） = 1 Watt
应用领域
- 电话拨号器电路
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