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XP151A12A2MR-G实物图
  • XP151A12A2MR-G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XP151A12A2MR-G

1个N沟道 耐压:20V

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描述
由于可以进行高速开关操作,因此该集成电路(IC)能够高效设置,从而节省能源。为了抗静电,内置了栅极保护二极管。
品牌名称
TOREX(特瑞仕)
商品型号
XP151A12A2MR-G
商品编号
C7129800
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034831克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

商品特性

  • 低导通电阻:在Vgs = 4.5V时,Rds(on) = 0.1 Ω
  • 在Vgs = 2.5V时,Rds(on) = 0.16 Ω
  • 超高速开关
  • 内置栅极保护二极管
  • 驱动电压:2.5V
  • N沟道功率MOSFET
  • DMOS结构
  • 小封装:SOT - 23
  • 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅

应用领域

  • 笔记本电脑
  • 手机和便携式电话
  • 车载电源
  • 锂离子电池系统

数据手册PDF