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SUM80090E-GE3
1个N沟道 耐压:150V
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- 描述
- 特性：ThunderFET功率MOSFET。 最高175℃结温。 100% Rg和UIS测试。应用：电源: -不间断电源。 -AC/DC开关模式电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM80090E-GE3
- 商品编号
- C7089998
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.425nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品概述
该器件是一款采用STripFET™ F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在将导通电阻和栅极电荷降至最低，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低阈值电压器件
应用领域
- 开关应用