- 引脚图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 89V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 95pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 13V |
商品概述
一款适用于广播发射机应用和工业应用的100 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管可在高频至1 GHz的宽带范围内提供100 W功率。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字发射机应用。
商品特性
- 在860 MHz的双音性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
- 峰值包络功率负载功率 = 100 W
- 功率增益 = 21 dB
- 漏极效率 = 47%
- 三阶互调失真 = -35 dBc
- 在858 MHz的DVB性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
- 平均输出功率 = 24 W
- 功率增益 = 22 dB
- 漏极效率 = 33%
- 三阶互调失真 = -34 dBc(距中心频率4.3 MHz)
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 超高频(UHF)频段通信发射机应用
- 超高频(UHF)频段工业应用
- BLF8G10LS-270GVJ
- BLF8G22LS-220U
- BLF8G27LS-140,118
- BLM7G22S-60PBY
- TVS06RK-15-18PE(LC)
- TVS06RK-15-19S(LC)
- TVS06RK-15-35B
- TVS06RK-15-35SC-LC
- TVS06RK-15-37SA(LC)
- TVS06RK-15-5JA-LC
- TVS06RK-15-97BC
- TVS06RK-15-97HN-LC
- TVS06RK-15-97PA-LC
- BLM31KN102SZ1K
- BLM31KN601SZ1K
- TVS06RK-15-97PD(LC)
- BLM31KN801SN1K
- TVS06RK-17-35BA
- TVS06RK-17-55SA(LC)
- BLP25RFE001Y
- TVS06RK-17-6SE(LC)