BLF871S,112

这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。

• 在860 MHz的双音性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
  • 峰值包络功率负载功率 = 100 W
  • 功率增益 = 21 dB
  • 漏极效率 = 47%
  • 三阶互调失真 = -35 dBc
• 在858 MHz的DVB性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
  • 平均输出功率 = 24 W
  • 功率增益 = 22 dB
  • 漏极效率 = 33%
  • 三阶互调失真 = -34 dBc(距中心频率4.3 MHz)
• 集成静电放电(ESD)保护
• 出色的耐用性
• 高功率增益
• 高效率
• 出色的可靠性
• 易于功率控制
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 超高频(UHF)频段通信发射机应用
• 超高频(UHF)频段工业应用