商品参数
参数完善中
商品概述
一款适用于广播发射机应用和工业应用的100 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管可在高频至1 GHz的宽带范围内提供100 W功率。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字发射机应用。
商品特性
- 在860 MHz的双音性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
- 峰值包络功率负载功率 = 100 W
- 功率增益 = 21 dB
- 漏极效率 = 47%
- 三阶互调失真 = -35 dBc
- 在858 MHz的DVB性能,漏源电压VDS为40 V,静态漏极电流IDq = 0.5 A:
- 平均输出功率 = 24 W
- 功率增益 = 22 dB
- 漏极效率 = 33%
- 三阶互调失真 = -34 dBc(距中心频率4.3 MHz)
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 超高频(UHF)频段通信发射机应用
- 超高频(UHF)频段工业应用