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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SN74BCT2827CNS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 元件数 | - | |
| 每个元件位数 | 10 | |
| 通道类型 | 单向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 50mA | |
| 拉电流(IOH) | 1mA | |
| 系列 | BCT | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 静态电流(Iq) | 6mA | |
| 传播延迟(tpd) | - | |
| 功能特性 | 掉电隔离；输出使能 |
商品概述
这些10位缓冲器和总线驱动器专为驱动MOS DRAM的电容性输入特性而设计。它们为宽数据路径或携带奇偶校验的总线提供高性能总线接口。三态控制门是一个2输入与门，输入为低电平有效，因此如果任一输出使能（OE1或OE2）输入为高电平，则所有十个输出都处于高阻抗状态。在电源开启和关闭期间，输出也处于高阻抗状态。当设备断电时，输出保持高阻抗状态。SN54BCT2827C的工作温度范围为 -55°C至125°C，SN74BCT2827C的工作温度范围为0°C至70°C。
商品特性
- BiCMOS设计大幅降低Iccz
- 输出端口具有等效的25Ω电阻；无需外部电阻
- 专门设计用于驱动MOS DRAM
- 三态输出可驱动总线线路或缓冲存储器地址寄存器
- 直通架构优化PCB布局
- 上电高阻抗状态
- ESD保护超过每MIL - STD - 883C方法3015规定的2000 V
- 封装选项包括塑料小外形（DW）封装、陶瓷芯片载体（FK）和平板封装（W），以及标准塑料和陶瓷300密耳双列直插式封装（JT、NT）
应用领域
- MOS DRAM驱动
- 宽数据路径总线接口
- 奇偶校验总线接口