商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 495A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.36uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高度集成
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 低结到外壳热阻
- 薄型设计
- 符合RoHS标准
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源
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