我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
预售商品
SCT3017ALGC11实物图
  • SCT3017ALGC11商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SCT3017ALGC11

1个N沟道 耐压:650V 电流:118A

品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
SCT3017ALGC11
商品编号
C7075009
商品封装
TO-247N​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)118A
导通电阻(RDS(on))22.1mΩ@18V,47A
属性参数值
耗散功率(Pd)427W
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)172nC@18V
输入电容(Ciss)2.884nF@500V

商品概述

S2M0080120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单碳化硅(SiC)功率MOSFET。该器件是高压n沟道增强型MOSFET,总传导损耗极低,在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0080120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用。

商品特性

  • 正温度特性,易于并联。
  • 低导通电阻,典型RDS(on) = 77mΩ。
  • 开关速度快,开关损耗低。
  • 本征体二极管速度极快且性能可靠。
  • 采用无亮锡电镀工艺。

应用领域

  • 电动汽车快速充电模块-电动汽车车载充电器-太阳能逆变器-在线式UPS/工业UPS-开关模式电源(SMPS)-DC-DC转换器-储能系统(ESS)

数据手册PDF