SCT3017ALGC11
1个N沟道 耐压:650V 电流:118A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- SCT3017ALGC11
- 商品编号
- C7075009
- 商品封装
- TO-247N
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.1mΩ@18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 427W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.884nF |
商品概述
S2M0080120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单碳化硅（SiC）功率MOSFET。该器件是高压n沟道增强型MOSFET，总传导损耗极低，在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0080120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- DC/DC 转换器
- 开关模式电源
- 感应加热
- 电机驱动器