RQA0002DNSTB-E
1个N沟道 耐压:16V 电流:3.8A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RQA0002DNSTB-E
- 商品编号
- C7060777
- 商品封装
- HWSON-2(4x5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 250mV | |
| 输入电容(Ciss) | 102pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@7.5V | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装（HSOP8）
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 开关应用