- 引脚图
- 焊盘图
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RJP60F4DPM-00#T1
RJP60F4DPM-00#T1
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJP60F4DPM-00#T1
- 商品编号
- C7049572
- 商品封装
- TO-3PFM
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 41.2W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.82V@15V,30A | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.9nF | |
| 输出电容(Coes) | 70pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 33pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 70ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat)=1.4 V（典型值）（在 IC = 30 A、VGE = 15 V、Ta = 25℃时）
- 沟槽栅和薄晶圆技术
- 高速开关