- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PBSS302NZ-QF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5.8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；700mW；1.7W | |
| 直流电流增益(hFE) | 350；570；450；520；550 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA；100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV；115mV；20mV；70mV；170mV；35mV；155mV；50mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品概述
NPN低VCEsat晶体管，采用SOT223（SC - 73）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 集电极 - 发射极饱和电压VCEsat低
- 集电极电流能力IC和ICM高
- 在高IC时集电极电流增益（hFE）高
- 发热少，效率高
- 与传统晶体管相比，所需印刷电路板（PCB）面积更小
- 符合AEC - Q101标准，推荐用于汽车应用
应用领域
- DC - DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电机控制
- 充电电路
- 功率开关（如电机、风扇）