P3M12040G7
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:69A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M12040G7
- 商品编号
- C7023109
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@15V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 349W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.505nF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了知名的PowerMESH横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 具备业内领先的导通电阻面积比
- 高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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