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P3M12025K3

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:113A

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品牌名称
PN Junction
商品型号
P3M12025K3
商品编号
C7023107
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)524W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
反向传输电容(Crss)19pF@800V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合,实现了低导通电阻和低栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器。

商品特性

  • 100%雪崩测试
  • 低输入电容和栅极电荷
  • 低栅极输入电阻

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF