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P3M12025K3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

P3M12025K3

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:113A

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品牌名称
PN Junction
商品型号
P3M12025K3
商品编号
C7023107
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)524W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合,实现了低导通电阻和低栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器。

商品特性

  • 符合AEC-Q101标准
  • 高阻断电压,低导通电阻
  • 高频操作
  • 极小型Qgd
  • 100%进行UIS测试

应用领域

-太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压DC/DC转换器-开关电源

数据手册PDF