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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPDQ60R065S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS™ S7高压超结MOSFET具有极低的RDS(on)值，显著提高了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线整流的理想选择。
商品特性
- 电机驱动应用。
- 低导通电阻。
- 4V驱动。
应用领域
- 固态继电器和断路器-高功率/高性能应用中的线整流,如计算机、电信、不间断电源和太阳能
- SG-8003CA-SDB
- SG-8003CA-SEL
- SG-8003CE-SEB
- MTMM-105-08-G-D-290
- SG-8003CE-SEM
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