MT55V512V32FT-8.8
MT55V512V32FT-8.8
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT55V512V32FT-8.8
- 商品编号
- C7001250
- 商品封装
- TQFP-100(14x20.1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.135V~3.465V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
美光的零总线反转（ZBT）SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计和先进的CMOS工艺。18Mb ZBT SRAM将1M x 18、512K x 32或512K x 36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。这些SRAM针对100%总线利用率进行了优化，消除了读转写或写转读转换的任何反转周期。所有同步输入通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式引脚/球（MODE）用于选择交错和线性突发模式。数据输出（Q）由OE#使能。写周期可以是一到四个字节宽。所有读、写和取消选择周期由ADV/LD#输入启动。该器件非常适合需要高带宽和零总线反转延迟的系统。3.3V VDD器件经过3.3V和2.5V I/O功能测试，2.5V VDD器件仅经过2.5V I/O功能测试。
商品特性
- 高频和100%总线利用率
- 单3.3V ±5%或2.5V ±5%电源
- 独立的3.3V ±5%或2.5V ±5%隔离输出缓冲电源（VDDQ）
- 先进的控制逻辑，实现最小控制信号接口
- 单个字节写控制可接地
- 单个R/W#（读/写）控制引脚/球
- CKE#引脚/球，用于启用时钟和暂停操作
- 三个芯片使能，便于简单的深度扩展
- 时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
- 内部自定时、完全连贯的写操作
- 内部自定时、寄存输出，无需控制OE#
- 休眠模式，用于降低功耗待机
- 公共数据输入和数据输出
- 线性或交错突发模式
- 突发功能（可选）
- 引脚和球/功能与2Mb、4Mb和8Mb ZBT SRAM兼容
应用领域
- 高带宽系统
- 零总线反转延迟系统