MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
- 商品编号
- C7001207
- 商品封装
- VBGA-100(12x18)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | 100MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 350us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 6万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口2.2版本规范
- 采用单层单元技术
- 组织结构:x8位宽页大小为8640字节;块大小为128页;平面大小为每平面2048块;器件密度:32Gb对应4096块,64Gb对应8192块,128Gb对应16384块,256Gb对应32768块
- 同步输入/输出性能:最高支持同步时序模式5;时钟频率:10纳秒;每引脚读写吞吐量:200 MT/s
- 异步输入/输出性能:最高支持异步时序模式5;读/写周期时间最小为20纳秒;每引脚读写吞吐量:50 MT/s
- 阵列性能:读页最大时间为35微秒;编程页典型时间为350微秒;擦除块典型时间为1.5毫秒
- 工作电压范围:VCC为2.7~3.6V;VCCQ为1.7~1.95V或2.7~3.6V
- 指令集:符合开放NAND闪存接口NAND闪存协议
- 高级指令集:支持编程缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性可编程模式、多平面操作、多逻辑单元操作、读取标识符以及回拷操作
- 出厂时首个块有效
- 上电后需首先执行复位指令
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态的软件方法
- 数据选通信号为同步接口中的数据信号提供硬件同步方法
- 支持在读取数据的同一平面内进行回拷操作
- 质量与可靠性:数据保持符合JESD47G标准;耐久性为60000次编程/擦除循环
- 工作温度:商业级为0℃至+70℃;工业级为-40℃至+85℃
- 封装选项:52焊盘LGA、48引脚TSOP、100球BGA、132球BGA
- MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
- MT29F4G01ABAFD12-AAT:F TR
- MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
- MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
- MT29F4G08ABADAWP-ITX:D
- MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
- MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
- MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D
- MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR
- MS3474A24-61SZ-LC
- MS3474L106PL
- MS3474L12-10B
- MS3474L1210SL
- MS3474L14-12AW
- MS3474L14-15AW
- MS3474L14-15AZ
- MS3474L14-15BZ
- MS3474L14-18BW
- MT3030-WT-A
- MS3474L14-19BY
- MT3118-Y-A

