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MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
商品编号
C7001207
商品封装
VBGA-100(12x18)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量32Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)100MHz
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)20ns
页写入时间(Tpp)350us
属性参数值
块擦除时间(tBE)1.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流-
擦写寿命6万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;软件复位功能;复制回写功能

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口2.2版本规范
  • 采用单层单元技术
  • 组织结构:x8位宽页大小为8640字节;块大小为128页;平面大小为每平面2048块;器件密度:32Gb对应4096块,64Gb对应8192块,128Gb对应16384块,256Gb对应32768块
  • 同步输入/输出性能:最高支持同步时序模式5;时钟频率:10纳秒;每引脚读写吞吐量:200 MT/s
  • 异步输入/输出性能:最高支持异步时序模式5;读/写周期时间最小为20纳秒;每引脚读写吞吐量:50 MT/s
  • 阵列性能:读页最大时间为35微秒;编程页典型时间为350微秒;擦除块典型时间为1.5毫秒
  • 工作电压范围:VCC为2.7~3.6V;VCCQ为1.7~1.95V或2.7~3.6V
  • 指令集:符合开放NAND闪存接口NAND闪存协议
  • 高级指令集:支持编程缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性可编程模式、多平面操作、多逻辑单元操作、读取标识符以及回拷操作
  • 出厂时首个块有效
  • 上电后需首先执行复位指令
  • 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态的软件方法
  • 数据选通信号为同步接口中的数据信号提供硬件同步方法
  • 支持在读取数据的同一平面内进行回拷操作
  • 质量与可靠性:数据保持符合JESD47G标准;耐久性为60000次编程/擦除循环
  • 工作温度:商业级为0℃至+70℃;工业级为-40℃至+85℃
  • 封装选项:52焊盘LGA、48引脚TSOP、100球BGA、132球BGA

数据手册PDF