- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 160 | |
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
商品概述
这款东芝晶体管为硅NPN外延型（PCT工艺），型号为2SC3265，适用于低频功率放大器和功率开关应用。
商品特性
- 高直流电流增益：hFE (1)为100至320
- 低饱和电压：VCE (sat)=0.4 V (最大值) (Ic = 500 mA, IB = 20 mA)
- 与2SA1298互补
应用领域
低频功率放大器、功率开关