- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 400MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 高特征频率（fT）。
- 高击穿电压。
- 小反向传输电容和出色的高频特性。
- 采用FBET工艺。