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2N7002KW-AU_R1_000A1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002KW-AU_R1_000A1

1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:RDS(ON),VGS@10V,ID@500mA < 3Ω。RDS(ON),VGS@4.5V,ID@200mA < 4Ω。先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。关断状态下漏电流极低。专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计:继电器、显示器、存储器等。ESD保护2KV HBM。通过AEC-Q101认证。符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
2N7002KW-AU_R1_000A1
商品编号
C6997133
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0269克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V,500mA
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)800pC@5V
输入电容(Ciss)24pF@25V
反向传输电容(Crss)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

应用领域

  • 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
  • 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。

数据手册PDF