商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 750mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 70V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR的2N5822和2N5823是采用环氧模塑的互补型硅小信号晶体管，通过外延平面工艺制造，专为需要高集电极电流额定值的通用放大器应用而设计。
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