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RMLV0816BGSB-4S2#HA0
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- 描述
- RMLV0816BGSB是一款8-Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该器件实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB具有低功耗待机电流，因此适用于电池备份系统。它提供44针TSOP (II)封装。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RMLV0816BGSB-4S2#HA0
- 商品编号
- C6982161
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 45ns；55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 450nA |
优惠活动
购买数量
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