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M1AFS1500-FG484K

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: M1AFS1500-FG484K
商品编号: C6981372
商品封装: FPBGA-484(23x23)
包装方式: 托盘
商品毛重: 11.37克(g)

商品参数

商品特性

每颗器件均经过-55°C至100°C结温测试
先进的130纳米、7层金属、基于闪存的互补金属氧化物半导体工艺
非易失性，断电后程序保持
即时启动单芯片解决方案
350 MHz系统性能
用户闪存：4 Mbits至8 Mbits，可配置为16位或32位数据路径，预读模式下访问时间为10 ns
额外1 Kbit闪存只读存储器
模数转换器分辨率高达12位，采样率高达600 Ksps
内部2.56V或外部参考电压
模数转换器：30个可扩展模拟输入通道
高电压输入耐受范围：-10.5 V至+12 V
电流监控和温度监控模块
高达10个金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动输出，支持P沟道和N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管，可编程驱动强度为1、3、10、30 µA及20 mA
模数转换器精度优于1%
内部100 MHz阻容振荡器（精度1%）
支持晶体振荡器（32 KHz至20 MHz）
可编程实时计数器
6个时钟调理电路，集成2个锁相环，具备相位偏移、倍频/分频及延时功能，输入频率1.5–350 MHz，输出频率0.75–350 MHz
单一3.3V电源供电，集成片上1.5V稳压器
睡眠与待机低功耗模式
通过联合测试行动组接口进行在系统编程，支持128位高级加密标准
FlashLock®技术旨在保护现场可编程门阵列内容安全
支持1.5V、1.8V、2.5V和3.3V混合电压操作
支持可选的输入输出组电压——每芯片最多5个组
单端输入输出标准：低电压晶体管-晶体管逻辑、低电压互补金属氧化物半导体（3.3V / 2.5V /1.8V / 1.5V）、3.3V周边元件扩展接口 / 3.3V周边元件扩展接口-X，以及低电压互补金属氧化物半导体2.5V / 5.0V输入
差分输入输出标准：低电压正发射极耦合逻辑、低电压差分信号、总线低电压差分信号、多点低电压差分信号，内置输入输出寄存器，支持700 Mbps双倍数据速率操作
支持热插拔输入输出
可编程输出压摆率、驱动强度及弱上拉/下拉电阻
整个Fusion®系列器件采用引脚兼容封装
可变宽高比4，608位静态随机存取存储器块（支持×1、×2、×4、×9及×18配置）
真双端口静态随机存取存储器（×18配置除外）
可编程嵌入式先进先出队列控制逻辑
支持ARM Cortex-M1内核

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	属性	参数值
	商品目录	可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)
	内嵌式块RAM(eRAM)	276480bit