RM80N80T2
1个N沟道 耐压:80V 电流:80A
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM80N80T2
- 商品编号
- C6976169
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
RM80N80T2采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 80V，漏极电流（ID） = 80A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ（典型值：7.0 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 专为转换器和电源控制设计
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-无卤
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