- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 正向压降(Vf) | 560mV@2A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 3.6A | |
| 反向电流(Ir) | 2mA@45V | |
| 工作结温范围 | -65℃~+175℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A |
商品概述
本规范涵盖了硅、快速恢复、肖特基势垒半导体二极管的性能要求。为每种器件类型提供了MIL - PRF - 19500中规定的四个级别的产品保证。器件封装外形为TO - 205AF（原低外形TO - 39），表面贴装版本U4。最大额定值方面，在不同温度范围适用不同的额定电压和电流，且有相应的降额要求。
商品特性
- 提供四个级别的产品保证
- 封装外形为TO - 205AF（原低外形TO - 39），有表面贴装版本U4
- 在-55℃至+135℃的TC范围内适用全额定VRRM和VRWM及相应平均正向电流，在-55℃至+120℃的TC范围内适用全额定VR，此时TJ ≤ +175℃
- 平均电流在不同波形和电压条件下有不同降额要求
- JAN1N6844U3
- RGC1/10C1821FTP
- RGC1/16K15R8BTP
- RGC1/10C1872DTP
- RGC1/16K1604BTP
- RGC1/10C18R0FTP
- RGC1/16K16R9FTP
- RGC1/10C1912DTP
- RGC1/16K17R8DTP
- RGC1/10C19R1DTP
- RGC1/16K22R6FTP
- RGC1/10C2051BTP
- RGC1/16K24R3DTP
- RGC1/10C2053DTP
- RGC1/16K24R9BTP
- RGC1/10C2103DTP
- RGC1/16K26R7DTP
- RGC1/16K3014FTP
- RGC1/16K3304DTP
- RGC1/10C2152BTP
- RGC1/16K34R8DTP