商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 315mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 184W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
- R6530KNZC17
- R66-5A10-120
- R713FA1-SXXXNB4NNX
- R713FB4-SXXX2B4GRW
- R71QR41004010K
- R721FB1-SXXXNBDNNX
- R723SF3-SXXX4B2GRW
- R74-11D1-6SM
- R76QI215050H4J
- R7D-BP02H
- R7D-BP04H
- R7F102GGE2DFB#HA0
- R7F701372AEABG-C#BC1
- R7F701374AEAFP-C#BA1
- R7F701388EAFP-C#BA1
- R7F701389EAFP-C#BA1
- R7F7016513ABG-C#AC1
- R7F7017643AFP-C#BA1
- R7FA2E1A73CLM#BC0
- R7FA2E1A92DFJ#BA0
- R7FA2E1A92DFJ#HA0