商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 270 | |
| 特征频率(fT) | 320MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV |
商品特性
- 集电极电流大
- 集电极饱和电压低。集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）：在集电极电流（Ic） = -500mA、基极电流（Ib） = -25mA时，最大值为 -350mV
应用领域
低频放大器
- QTS750C-38.880MBG-T
- QSVW035A0B41-HZ
- QTS750C-38.880MBP-T
- QSVW035A0B41Z
- QTS750C-96.000MBG-T
- QT1553-20
- QTT161-19.200MBG-T
- QT1553-21
- QTT161-19.200MDG-T
- QT1553-5
- QTT161-25.000MBS-T
- QT161S-24.000METE-T
- QTT161-26.000MBN-T
- QTT161-26.000MBS-T
- QTT161-38.400MDG-T
- QTT252-16.368MBG-T
- QTT252-40.000MDN-T
- QTT3213ST1
- QTT325-38.400MBS-T
- QTT325-40.000MBG-T
- QTV532P-122.880MBB-T