GS8160Z36DGT-333IV
GS8160Z36DGT-333IV
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8160Z36DGT-333IV
- 商品编号
- C6955579
- 商品封装
- TQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.6605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
GS8160Z18/36DGT-xxxV是一款18Mbit同步静态SRAM。NBT SRAM,如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或直通读/单延迟写SRAM,通过消除在从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期的需求,允许利用所有可用的总线带宽。由于它是同步器件,地址、数据输入以及读/写控制输入在输入时钟的上升沿被捕获。突发顺序控制引脚必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制,并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时,并由时钟输入的上升沿启动。此特性消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成,并简化了输入信号时序。GS8160Z18/36DGT-xxxV可由用户配置为在流水线或直通模式下运行。作为流水线同步器件运行,意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外,该器件还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期,流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储,然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。
商品特性
- NBT功能允许零等待读写读总线利用率;完全引脚兼容于流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM
- 1.8V或2.5V核心电源供电
- 1.8V或2.5V输入/输出电源
- 用户可配置的流水线和直通模式
- LBO引脚用于线性或交错突发模式
- 引脚兼容于2Mb、4Mb、8Mb、36Mb、72Mb和144Mb器件
- 字节写操作
- 3个芯片使能信号,便于深度扩展
- ZZ引脚用于自动断电
- 符合RoHS标准的100引脚TQFP封装可用
- GS8182D19BGD-400I
- GS8182D37BGD-400I
- GS8256436GB-400I
- GS82564Z36GD-250I
- GS82582D37GE-450I
- GS82582Q20GE-500I
- HC-49/U-S6500000ABJB
- HC-49/U-S8000000ABIT
- HC02B2800000G
- HC04B0800000G
- HC12-3.4-AG
- HC1210CG101J102
- HC28-2-A+G
- HC49US-FF3F18-6.000MHZ
- HC49USM-FF3F18-11.0592MHZ
- HC49USM-FF3F18-7.3728MHZ
- HC49USM-FF5F18-18.4320MHZ
- HC49USM-FF5F18-24.000MHZ
- HC49USM-FF5F18-8.000MHZ
- HC5-6-OV-A+G
- 019-0410-05-301

