G3VM-61H1(TR)

MOS FET继电器设计用于切换微小信号和模拟信号。连续负载电流为400mA。符合RoHS标准。

应用示例：

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪

型号列表：

• 封装类型：SOP6
• 接触形式：1a（SPST-NO）
• 端子：表面贴装端子
• 负载电压（峰值）：60V
• 型号：G3VM-61H1, G3VM-61H1(TR)

在Ta=25℃下的绝对最大额定值和电气特性：

• 输入：
  • LED正向电流 (IF)：50 mA
  • 重复峰值LED正向电流 (IFP)：1 A（100 μs脉冲，100 pps）
  • LED正向电流降低率 (△lF/℃)：-0.5 mA/℃（Ta ≥ 25℃）
  • LED反向电压 (VR)：5 V
  • 连接温度 (TJ)：125 ℃
• 负载：
  • 负载电压（AC峰值/DC）(VOFF)：60 V
  • 连续负载电流 (lo)：
    • 连接A：400 mA（AC峰值/DC）
    • 连接B：400 mA（DC）
    • 连接C：800 mA（DC）
  • 导通电流降低率 (△lo/℃)：
    • 连接A：-4.0 mA/℃
    • 连接B：4.0 mA/℃
    • 连接C：-8.0 mA/℃（Ta ≥ 25℃）
  • I/O之间的绝缘强度 (VI-0)：1500 Vrms（AC持续1分钟）
  • 环境工作温度 (Ta)：-40至+85 ℃（无结冰或凝露）
  • 环境存储温度 (Tstg)：-55至+125 ℃（无结冰或凝露）
  • 焊接温度：260 ℃（10秒）

推荐工作条件：

• 负载电压（AC峰值/DC）(VDD)：最高48 V
• 工作LED正向电流 (IF)：5至25 mA
• 连续负载电流（AC峰值/DC）(lo)：最高400 mA
• 环境工作温度 (Ta)：-20至65 ℃

外观：SSOOPP（小型封装）SOP6

尺寸：（单位：mm）

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪