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PXP6R1-30QLJ
1个P沟道 耐压:30V 电流:22.1A
- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP6R1-30QLJ
- 商品编号
- C6953790
- 商品封装
- MLPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 易于并联使用
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 开关应用