商品参数
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商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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