商品参数
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商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条状和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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