PMV130ENEA,215

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

• 逻辑电平兼容
• 扩展温度范围 Tj = 175℃
• 沟槽MOSFET技术
• 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM(H1C类)
• 通过AEC - Q101认证

-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路