- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA；100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V；50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW；200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200；30 | |
| 特征频率(fT) | 280MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV；300mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V；10V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
低V_CEsat PNP晶体管和带电阻的NPN晶体管封装在SOT666塑料封装中（封装详情见“订购信息”）。
商品特性
- 低V_CEsat晶体管和带电阻的晶体管封装于一体
- 1.6×1.2mm超小超薄封装
- 减少元件数量
应用领域
- 线路开关
- 电池充电器开关
- 电源开关
- 驱动开关
- 通用模拟开关
- PMB-12V50W1AH
- PEP1-S5-D12-M
- PEP1-S5-D15-M
- PEP1-S5-S3-M
- PES1-S24-S15-M
- PES1-S24-S5-M
- PES1-S24-S9-M
- PES1-S5-D5-M
- PESC-01-12-01-01-S-VT
- PMB1704330KVP
- PESD1IVN27LS-QYL
- PESD2CANFD24LT-QR
- PESD2CANFD24VQB-QZ
- PESD2USB30
- PESD3V3Z1BSF,315
- PESD5V0F1BLZ
- PESD5V0V2BMB-QYL
- PESE1-S24-D15-M
- PESE1-S24-D5-M-TR
- PESE1-S24-S9-M
- PESE1-S3-S5-M