商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务，也能应对导通损耗占主导的应用场景。
商品特性
- rDS(ON) = 9 mΩ,VGS = 10 V,ID = 35 A
- rDS(ON) = 12 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 35 A
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
- D-PAK(TO-252)
应用领域
-DC/DC转换器
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