温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@5V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 450pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低电压驱动（1.2V）
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）