NTE74HC299
NTE74HC299
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE74HC299
- 商品编号
- C6944026
- 商品封装
- DIP-20
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 工作电压 | 2V~6V | |
| 每个元件位数 | 8 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 系列 | 74HC | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 异步清零功能；输出使能；支持正向和反向移位 |
商品概述
NTE74HC299是一款8位移位/存储寄存器，采用20引脚DIP封装，具备三态总线接口能力。该寄存器有四种同步操作模式，由两个选择输入控制，如模式选择（S0、S1）表所示。模式选择、串行数据（DS0、DS7）和并行数据（I/O0 - I/O7）仅对时钟（CP）脉冲的低到高转换做出响应。S0、S1和数据输入必须在时钟正跳变前一个建立时间内保持稳定。主复位（MR）是一个异步低电平有效输入。当MR输出为低电平时，无论其他所有输入状态如何，寄存器都会被清零。通过将串行输出（Q0）连接到前一个寄存器的串行数据（DS7）输入，并将串行输出（Q7）连接到后一个寄存器的串行数据（DS0）输入，可以级联相同的单元来扩展寄存器。通过将最后一级的Q7连接到第一级的DS0，可以实现(n × 8)位的循环。三态输入/输出（I/O）端口有三种操作模式：1. 两个输出使能（OE1和OE2）输入均为低电平，且S0或S1或两者均为低电平时，寄存器中的数据会在八个输出端呈现。2. 当S0和S1均为高电平时，I/O端子处于高阻抗状态，但作为输入端口，无论OE1和OE2的状态如何，都可以在一个时钟转换内将并行数据加载到八个寄存器中。3. 两个输出使能输入中的任何一个为高电平都会使I/O端子处于关断状态。需要注意的是，每个I/O端子都是一个三态输出和一个CMOS缓冲输入。
商品特性
- 宽电源电压范围：2V至6V
- 高抗噪能力：在VCC = 5V时，NIL = 30%，NIH = 30%的VCC
- 缓冲输入
- 四种操作模式：左移、右移、加载和存储
- 可级联以实现N位字长
- I/O0 - I/O7总线驱动能力和面向总线应用的三态
- 在VCC = 5V、CL = 15pF、TA = +25°C时，典型fMAX = 50MHz
- 扇出（在温度范围内）：标准输出... 10个LS - TTL负载；总线驱动器输出... 15个LS - TTL负载
- 平衡的传播延迟和转换时间
- 与LS - TTL逻辑IC相比，显著降低功耗