NTE2376
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2376
- 商品编号
- C6943685
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CMSC7341将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC降压转换器中的高端开关
- 笔记本电脑电池电源管理
- 笔记本电脑中的负载开关