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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE172A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 20000 | |
| 特征频率(fT) | 60MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 1.6V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
NTE172A是一款采用TO92封装的硅NPN达林顿晶体管，专为需要数兆欧输入阻抗的前置放大器输入级或极低电平、高增益、低噪声放大应用而设计。