商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术、采用小型 SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 N 沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电(ESD)防护能力高达 400 V
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
参数完善中
采用沟槽 MOSFET 技术、采用小型 SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 N 沟道增强型场效应晶体管(FET)。
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路