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DI040P04PT-AQ实物图
  • DI040P04PT-AQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DI040P04PT-AQ

1个P沟道 耐压:40V 电流:40A

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商品型号
DI040P04PT-AQ
商品编号
C6934675
商品封装
QFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.130627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)22.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)59nC@10V
输入电容(Ciss)3.538nF
反向传输电容(Crss)178pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 小型、节省空间的封装
  • 低外形高度
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 符合RoHS标准(豁免条款7a)
  • 符合REACH法规、无冲突矿物
  • 小型、节省空间的封装
  • 低外形高度
  • 低导通电阻
  • 快速开关时间
  • 低栅极电荷
  • 符合RoHS标准(豁免条款7a)
  • 符合REACH法规、无冲突矿物

应用领域

  • 电源管理单元
  • 电池供电设备
  • 负载开关、极性保护
  • 商用/工业级
  • 电流监测单元
  • 电池供电设备
  • 负载开关、极性保护
  • 标准规格

数据手册PDF