- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
N25Q256A73ESF40G TR
N25Q256A73ESF40G TR
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- N25Q256A73ESF40G TR
- 商品编号
- C6930262
- 商品封装
- SOP-162
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 兼容串行外设接口的串行总线接口
- 支持双倍数据速率模式
- 单电源电压范围2.7至3.6伏
- 在单倍数据速率模式下，所有协议支持最高108兆赫兹的时钟频率
- 在双倍数据速率模式下，所有协议支持最高54兆赫兹的时钟频率
- 双路/四路输入输出指令提供高达54兆字节每秒的吞吐量
- 支持扩展串行外设接口、双路输入输出和四路输入输出协议
- 所有协议均支持双倍数据速率模式
- 支持所有三种协议的原地执行模式
- 可通过易失性或非易失性寄存器进行配置
- 支持编程/擦除挂起操作
- 通过单一命令连续读取整个存储器
- 支持快速读取、四路或双路输出快速读取、四路或双路输入输出快速读取
- 可配置虚拟周期数
- 可配置输出缓冲区
- 支持软件复位
- 支持3字节和4字节寻址模式
- 提供64字节、用户可锁定、一次性可编程专用区域
- 擦除功能支持4KB统一粒度子扇区擦除、64KB统一粒度扇区擦除以及全芯片擦除
- 写入保护支持通过易失性锁定位对每个64KB扇区进行软件写入保护，以及通过五个非易失性位定义保护区域大小的硬件写入保护
- 电子签名符合标准的两字节签名
- 包含17个只读字节的标识符，用于识别设备出厂选项和定制出厂数据
- 每个扇区至少可擦除10万次
- 数据保存期限超过20年
- 封装符合标准，均符合环保要求
- N25Q512A83G1241E
- NEVO+600ML-2123-DK000
- NEVO+600ML-2135-DK000
- NEVO+600ML-2141-DK000
- N2825TJ400
- NEVO+600ML-2142-DK000
- N3229QK060
- NEVO+600ML-2144-DK000
- N4340TJ220
- NEVO+600ML-2200-DK000
- N482-3M8-LC12
- NEVO+600ML-2251-DK000
- N5320FE420
- NEVO+600ML-2283-DK000
- N5415EA360
- NEVO+600ML-2325-DK000
- N6S25T0C-103-3030
- NEVO+600ML-2334-DK000
- N6S25T0C-503-3030
- NEVO+600ML-2410-DK000
- NEVO+600ML-2428-DK000