N25Q256A73ESF40G TR
N25Q256A73ESF40G TR
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- N25Q256A73ESF40G TR
- 商品编号
- C6930262
- 商品封装
- SOP-162
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 兼容SPI的串行总线接口
- 双倍传输速率(DTR)模式
- 2.7 - 3.6V单电源电压
- 单传输速率(STR)模式下,所有协议支持最高108 MHz时钟频率
- DTR模式下,所有协议支持最高54 MHz时钟频率
- 双/四I/O指令可将吞吐量提高至54 MB/s
- 支持扩展SPI、双I/O和四I/O协议
- 所有协议均支持DTR模式
- 三种协议均支持即取即用(XIP)模式
- 可通过易失性或非易失性寄存器进行配置
- 使存储器在上电后可直接在XIP模式下工作
- 支持编程/擦除暂停操作
- 可通过单条指令连续读取整个存储器
- 快速读取
- 四输出或双输出快速读取
- 四I/O或双I/O快速读取
- 灵活适配应用
- 可配置空周期数
- 输出缓冲器可配置
- 软件复位
- 支持3字节和4字节寻址模式
- 64字节、用户可锁定、一次性可编程(OTP)专用区域
- 以下器件提供额外的复位引脚:N25Q256A83ESF40x、N25Q256A83E1240x、N25Q256A83ESFA0F
- 擦除能力:4KB均匀粒度块的子扇区擦除、64KB均匀粒度块的扇区擦除、全芯片擦除
- 写保护:通过易失性锁定位对每个64KB扇区进行软件写保护;硬件写保护,保护区域大小由五个非易失性位(BP0、BP1、BP2、BP3和TB)定义;可按需提供额外的智能保护
- 电子签名:JEDEC标准2字节签名(BA19h);17字节只读唯一ID,包括用于识别器件工厂选项的额外扩展设备ID(EDID)和定制工厂数据
- 每个扇区最少100,000次擦除周期
- 数据保留时间超过20年
- 封装符合JEDEC标准,均符合RoHS规范:V - PDFN - 8/8mm x 6mm(也称为SON、DFPN、MLP、MLF);SOP2 - 16/300mils(也称为SO16W、SO16 - Wide、SOIC - 16);T - PBGA - 24b05/6mm x 8mm(也称为TBGA24)
- N25Q512A83G1241E
- NEVO+600ML-2123-DK000
- NEVO+600ML-2135-DK000
- NEVO+600ML-2141-DK000
- N2825TJ400
- NEVO+600ML-2142-DK000
- N3229QK060
- NEVO+600ML-2144-DK000
- N4340TJ220
- NEVO+600ML-2200-DK000
- N482-3M8-LC12
- NEVO+600ML-2251-DK000
- N5320FE420
- NEVO+600ML-2283-DK000
- N5415EA360
- NEVO+600ML-2325-DK000
- N6S25T0C-103-3030
- NEVO+600ML-2334-DK000
- N6S25T0C-503-3030
- NEVO+600ML-2410-DK000
- NEVO+600ML-2428-DK000
