商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 专用传感器 | |
| 传感器类型 | 导通电压传感器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 数字滤波/信号处理；温度补偿 |
商品概述
Tell-i Technologies公司的VON1k5m是一款先进的传感器，用于在导通状态下高分辨率地测量高压功率MOSFET的漏源电压。它也可用于测量IGBT在导通状态下的集电极 - 发射极电压。在关断状态下，该传感器将高压漏源/集电极 - 发射极电位钳位在+2.8V。一旦进入导通状态，V - ON传感器可在50ns - 200ns的快速上升/下降时间内提供VDSON测量值。导通状态电压及其导数可用于在半导体功率器件层面进行功率转换器的健康监测和预测。VON1kV5m传感器满足了使用宽带隙器件的电力电子设备对快速准确电压传感的需求。VON1kV5m传感器使用+5V单电源供电，可无缝集成到控制系统中。VON1kV5Vm传感器非常适合用于原位仪器，以在功率半导体器件层面监测和预测电力电子设备和系统的性能。导通状态电压与电流信息相结合，可捕捉必要参数，以估算和监测高压功率半导体器件的电阻。凭借50 - 200纳秒的建立时间和1000V的阻断电压能力，VON传感器可用于使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶体管等宽带隙器件的高频高压电力电子设备。由于建立时间如此之短，可在开关瞬态后300纳秒内估算对GaN功率器件尤为重要的动态导通电阻。
商品特性
- 超快的50ns - 200ns建立时间
- 高达1000V的阻断电压范围
- 内置温度变化补偿
- 低功耗
- 单电源电压：5V
- 非侵入式
- 无需设置/复位或控制要求
应用领域
健康监测和预测、电力电子原位仪器、动态RDSON测量/特性分析、汽车