商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 590W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 405nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 405pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于DC - DC转换器、负载开关和电源管理功能。
商品特性
- 单MOSFET
- 直接铜键合Al2O3陶瓷基板
- 低RDS(on) HDMOSTM工艺
- 低封装电感,适用于高速开关
- 开尔文源极触点
- 带键控双插头
- 高功率密度
- 低损耗
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源(UPS)
- 直流伺服和机器人驱动器
- 直流斩波器
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