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MMBF170Q-7-F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMBF170Q-7-F

1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA

描述
特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
MMBF170Q-7-F
商品编号
C6909003
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.068克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))5.3Ω@4.5V,50mA
属性参数值
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))2.1V
输入电容(Ciss)40pF@10V
反向传输电容(Crss)5pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 快速反向恢复
  • 易于并联
  • 驱动简单
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

应用领域

  • 太阳能逆变器-DC/DC转换器-开关模式电源-感应加热-电机驱动器

数据手册PDF