MMBF170Q-7-F
1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
- 描述
- 特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBF170Q-7-F
- 商品编号
- C6909003
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V,50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器-DC/DC转换器-开关模式电源-感应加热-电机驱动器
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