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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGD623N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 37A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 75ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 300ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
MGD623N是600 V沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。三垦原装沟槽结构降低了栅极电容，实现了高速开关并降低了开关损耗。因此，该IGBT可以提高电路效率。封装类型为TO3P - 3L。
商品特性
- 低饱和电压
- 高速开关
- 集成低VF快速恢复二极管
- 裸引线框架：无铅（符合RoHS标准）
- VCE 600 V
- IC（TC = 100 °C） - 37 A
- VCE(sat) - 1.7 V典型值
- tf（TJ = 25 °C） - 200 ns典型值
- VF - 1.2 V典型值
应用领域
微波炉、IH电饭煲、逆变器电路
- MCASE105SB7473KFNA01
- MGDBK04HE
- MCASE168SB5224KTNA01
- MGDBK04QF/Y
- MCASE219JB5225KTNA1J
- MGDBK10CF
- MCASE21GBB5106KTNA01
- MGDBK10HF
- MCASE21GSB5105MTNA01
- MGDSI-204-H-C
- MCASE21GSB7105KTNB2J
- MGDSK04HF
- MCASE21GSB7225MTNA1J
- MGDSK100MC
- MCASE21GSB7334KTNA01
- MGDSK100Q26
- MCASE31LAB7475KTNA01
- MGDSK10HF
- MCASE32MAB5476MPNDT1
- MGDSK35QC
- MCASE32NSB7106KTNB2J