商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 714W |
商品概述
UJ4SC075006K4S 是一款 750V、5.9mW 的 G4 SiC FET。它基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 TO - 247 - 4L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻 RDS(on):5.9mΩ(典型值)
- 工作温度:175°C(最大值)
- 出色的反向恢复:Qrr = 440nC
- 低体二极管 VFSD:1.03V
- 低栅极电荷:QG = 164nC
- 阈值电压 VG(th):4.7V(典型值),允许 0 至 15V 驱动
- 低固有电容
- ESD 保护,HBM 2 类
- TO - 247 - 4L 封装,实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热
- MBJCE31LBB7475MTPA01
- MB7460-721
- MBJCG32MAB7475MPPA01
- UKA1E331MPD1TD
- MB7469-111
- MBJCH168AB7102KTPA01
- UKL1C221KPDANA
- MB7480-601
- UKL1V331KHD
- MBJCH168BB7103KTPA01
- MBJCH21GBB7103KTPA01
- MB7554-100
- MBJCH21GBB7472MTPA01
- UPJ1C821MHD6
- MB7560-121
- MBJCH31LBB7104KTPA01
- MB7560-510
- UPJ1HR47MDD
- MBJCH31LBC7225KTDA01
- MB7560-700
- UKT1C222MHD1TO

